肇庆鼎湖升降车出租,  鼎湖区升降车出租,  鼎湖升降车出租    ２Ｓｅ３微观器件的输运性质???      又对块材进行了机械剥离，制备纳米片的器件。因为纳米片的表面积体积比比较大，因此表面态的占比会增加。Ｂｉ２Ｓｅ３是最典型的三维拓扑绝缘体，表面态能带结构简单。不像Ｂｉ＾Ｓｂｘ相变体系有着除表面态以外的杂散态。相比之下，（Ｂｉｏ．＾Ｉｎｏ．ｏＡＳｅａ是研究拓扑相变更合适的平台。在器件的输运性质中，再次观测到了表面态存在的证据。显示了横向和纵向电阻随磁场的变化。在磁电阻上可以看到明显的量子振荡。此外横向霍尔电阻是非线性的，预示着多种载流子的存在，其中包括表面态载流子和体相载流子。随着Ｉｎ组分的增加到０．２０时，非线性的霍尔电阻呈现出线性的特征，此时表面态消失，只有体载流子的存在。此外，量子振荡的角度依赖关系也证明了表面态的存在。当减去纵向电阻的光滑背景后，可以看到明显的量子振荡。磁场在垂直方向归一化后，不同角度下量子振荡的峰和谷的位置重合在一起，因此电子态是一种二维的电子态，预示着存在二维的表面态。，用极大值去作为整数，极小值作为半整数，画出朗道指数的朗道范图。求得截距是０．５２８，接近０．５，表明了是非平庸的贝利相位。因此，得出结论：〇．〇８组分处于拓扑非平庸的相，存在表面态。

       发明了一种自上而下制备超薄拓扑绝缘体的方法。他们利用了热蒸发的原理，制备得到单层厚度尺寸量级的Ｂｉ２Ｓｅ３和Ｓｂ２Ｔｅ３的样品。通过ＴＥＭ表征发现，热蒸发后，超薄的样品很好地保留了完整性和相纯度，并做了简单的Ｉ－Ｖ测试。该方法利用了热蒸发和热升华的原理，因此适用于那些经得起蒸发或是升华的体系。由于［ｎ的含量要很精确，而且Ｉｎ的熔点比其他的要小很多。因此热蒸发不适用的体系。研究了氩离子刻蚀拓扑绝缘体的方法。研究了样品的原子力显微镜和拉曼图。氩离子刻蚀可以减小样品的厚度，同时又引入了粗糙度（高度的涨落差不多２０ｎｍ）。拉曼峰的宽化和弱反局域化的出现证明了样品的粗糙度和无序的产生。

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     ２氩离子刻蚀工艺及表面形貌（ＢｉｗＩｎＪ２Ｓｅ３纳米片的刻蚀是二维电感耦合等离子体系统进行的，用氩离子等离子体对样品进行轰击。总的气体流量是３０ｓｃｃｍ，压强是ＩＰａ，总的刻蚀时间是４２０ｓ。表面形貌通过原子力显微镜表征，氩离子刻蚀适用于拓扑绝缘体。它可以用来获得尺寸更薄的样品，并且在长度５ｐｍ的尺寸下保持样品的均一性和完整性，适合器件加工。通过选取一个区域，进行原子力显微镜表征，可以获得９－１３ｎｍ厚度范围的样品，并且粗糖度在ｌｎｍ的量级。拉曼谱中显示了三个典型的峰７１ｃｍ—１，１３１ｃｉｒｆ１，ａｎｄ１７５ｃｍＨ。这三个峰分别对应着三个振动模式。因此，刻蚀后的样品仍然保持着很好的斜方六面体晶体结构。

     ３氩离子刻蚀后样品输运性质对刻蚀后的样品做了器件测试。变温曲线是金属性的，然后从磁阻上看出，电阻的变化率非常小，而且与未刻蚀样品相比，量子振荡没了。此外低场下出现了弱反局域化效应，证明了刻蚀引入了粗糙和无序，增强了电子散射。进行了快速退火处理，发现磁输运现象未出现很好的改善。

     通过简单的熔融法合成了高质量的量子相变系统。首先研究了单晶块材在１３Ｔ磁场下的磁输运性质。通过低场下的洛伦兹拟合，得到平均迁移率。通过高磁场下的舒布尼科夫－德哈斯振荡分析，得到有着很局的迁移率。朗道范图非零的截距显示着非平庸的贝利相位，证明了拓扑狄拉克费米子的存在。其次通过机械剥离制备了薄的纳米片，探索了其输运性质，进一步证明了表面态的存在。最后发现氩离子刻蚀实验可以进一步剥离出更薄的样品，通过拉曼表征，证明了其还是保持了原先的晶格结构.  

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